MOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor，互補型金屬氧化物半...MOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor，互補型金屬氧化物半導(dǎo)體)是目前比擬成熟的半導(dǎo)休集成下藝之一，能夠了解為集成電路中的橫向構(gòu)造MOSFET...
HEXMOS與管芯構(gòu)造 為了增加水龍頭的流量，水龍頭能夠?qū)⒖趶阶龅煤艽?，這時分...HEXMOS與管芯構(gòu)造 為了增加水龍頭的流量，水龍頭能夠?qū)⒖趶阶龅煤艽螅@時分的水龍頭一般稱為“閥門”，當然也能夠用多個小口徑的水龍頭來替代，只是工程上很少...
目前大致有兩種辦法，一種是用兩個相同的半導(dǎo)體構(gòu)建柵區(qū)，這兩個柵區(qū)就像水龍頭...目前大致有兩種辦法，一種是用兩個相同的半導(dǎo)體構(gòu)建柵區(qū)，這兩個柵區(qū)就像水龍頭的閥芯與閥座，所不同的是，閥座是固定的，而兩個柵區(qū)都是“挪動”的，即兩個柵區(qū)同...
場效應(yīng)管只靠“多子”米導(dǎo)電，換言之，只靠一種極性的載流子導(dǎo)電；而BJT（雙極...場效應(yīng)管只靠“多子”米導(dǎo)電，換言之，只靠一種極性的載流子導(dǎo)電；而BJT（雙極性晶體管）則同時靠“多子”和與之極性相反的“少子”停止導(dǎo)電，因而場效應(yīng)管屬于單...
材料的導(dǎo)電性是由材料中的自由電子(Extra electron)的數(shù)量決定的。從能量的角度...材料的導(dǎo)電性是由材料中的自由電子(Extra electron)的數(shù)量決定的。從能量的角度來看，自由電子的能量比較高，因此往外力的作用下（電場等）可以自由移動，如果將它...
DGMOSFET（Dual gate MOSFET，雙柵極MOSFET）是一種有兩個柵極的四端器件，兩個...DGMOSFET（Dual gate MOSFET，雙柵極MOSFET）是一種有兩個柵極的四端器件，兩個柵極都可以對溝道進行控制，目的是為了控制的便利性與獨立性，尤其是有兩個控制量的...
