Idss — 飽和漏源電流.是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中,柵極電壓 UGS=0時(shí)的...Idss — 飽和漏源電流.是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中,柵極電壓 UGS=0時(shí)的漏源電流. Up — 夾斷電壓.是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中,使漏源間剛截止時(shí)的柵...
三端穩(wěn)壓管型號(hào) 簡(jiǎn)介? 三端穩(wěn)壓管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都...三端穩(wěn)壓管型號(hào) 簡(jiǎn)介? 三端穩(wěn)壓管是一種直到臨界反向擊穿電壓前都具有很高電阻的半導(dǎo)體器件。穩(wěn)壓管在反向擊穿時(shí)，在一定的電流范圍內(nèi)（或者說(shuō)在一定...
快恢復(fù)二極管的最主要特點(diǎn)是它的反向恢復(fù)時(shí)間（trr)在幾百納秒(ns)以下，超快恢...快恢復(fù)二極管的最主要特點(diǎn)是它的反向恢復(fù)時(shí)間（trr)在幾百納秒(ns)以下，超快恢復(fù)二極管以致能抵達(dá)幾十納秒。反向恢復(fù)時(shí)間(trr)，它的定義是：電流經(jīng)過(guò)零點(diǎn)由正向...
耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管 根據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。所謂增強(qiáng)...耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管 根據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。所謂增強(qiáng)型是指：當(dāng)VGS=0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài)，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸收到柵極，從...
當(dāng)vGS數(shù)值較小，吸收電子的才能不強(qiáng)時(shí)，漏——源極之間仍無(wú)導(dǎo)電溝道呈現(xiàn)，vGS增...當(dāng)vGS數(shù)值較小，吸收電子的才能不強(qiáng)時(shí)，漏——源極之間仍無(wú)導(dǎo)電溝道呈現(xiàn)，vGS增加時(shí)，吸收到P襯底外表層的電子就增加，當(dāng)vGS到達(dá)某一數(shù)值 時(shí)，這些電子在柵極左近...
晶體閘流管簡(jiǎn)稱為品閘管，也叫做可控硅，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的功率型半導(dǎo)體器件...晶體閘流管簡(jiǎn)稱為品閘管，也叫做可控硅，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的功率型半導(dǎo)體器件。因?yàn)樗梢韵耖l門(mén)一樣控制電流，所以稱之為“晶體閘流管”。晶體閘流管是最常用的...
