KIA4706A場(chǎng)效應(yīng)管采用先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù)，性能出色，漏源擊穿電壓60V，...KIA4706A場(chǎng)效應(yīng)管采用先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù)，性能出色，漏源擊穿電壓60V，漏極電流8A，具有RDS（開）僅為10mΩ（在VGS=10V時(shí)的典型值），在應(yīng)用中表現(xiàn)出超低的...
9926mos管,9926場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù) 漏源電壓：20V 漏極電流：6A 漏源通態(tài)電阻(RDS...9926mos管,9926場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù) 漏源電壓：20V 漏極電流：6A 漏源通態(tài)電阻(RDS(on))：0.030Ω 總功耗：2.0W
KIA3423采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓-20V，漏極電流-2.0A，提供出色的RDS...KIA3423采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓-20V，漏極電流-2.0A，提供出色的RDS（導(dǎo)通）、低柵極電荷和低至2.5V的柵極電壓操作，能夠減少功耗，提高效率。3423場(chǎng)效...
KIA3409采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供出色的RDS（導(dǎo)通）和低柵極電荷。3409場(chǎng)效應(yīng)管...KIA3409采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，提供出色的RDS（導(dǎo)通）和低柵極電荷。3409場(chǎng)效應(yīng)管適用于負(fù)載開關(guān)或PWM應(yīng)用。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品KIA3409不含鉛（符合ROHS和Sony 259規(guī)范）。 V...
8205MOS管,8205場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù) 漏源電壓：20V 漏極電流：5.0A 柵源電壓：±12...8205MOS管,8205場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù) 漏源電壓：20V 漏極電流：5.0A 柵源電壓：±12V 脈沖漏電流：20A 總功耗：2W
KIA3414采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓20V，漏極電流4.2A，提供出色的RDS（...KIA3414采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)，漏源擊穿電壓20V，漏極電流4.2A，提供出色的RDS（on），低柵極電荷門極電壓低至1.8V。該裝置適用于負(fù)載開關(guān)或PWM應(yīng)用。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品KIA34...
