反型層是半導(dǎo)體材料中的一層，在某些條件下，多數(shù)載流子的類(lèi)型在一定條件下變化...反型層是半導(dǎo)體材料中的一層，在某些條件下，多數(shù)載流子的類(lèi)型在一定條件下變化。在通常的MOS器件中，反型層構(gòu)成導(dǎo)電溝道，是器件導(dǎo)通的原因，表面反型狀態(tài)對(duì)MOS器...
在半導(dǎo)體的制造中，始終遵循著摩爾定律，于是集成電路的尺寸持續(xù)減小，于是MOS...在半導(dǎo)體的制造中，始終遵循著摩爾定律，于是集成電路的尺寸持續(xù)減小，于是MOSFET的溝道長(zhǎng)度也相應(yīng)地縮短，這就導(dǎo)致了MOSFET管中的S和D（源和漏）的距離越來(lái)越短，...
通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入...通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱(chēng)為閾值電壓。 MOS管，當(dāng)器件由耗盡向反型轉(zhuǎn)變時(shí)，要經(jīng)歷一個(gè) Si 表面電子濃...
當(dāng) MOSFET 的 Vgs 接近其閾值電壓 Vth 時(shí)，MOS 管工作在弱反型（或亞閾值區(qū)），...當(dāng) MOSFET 的 Vgs 接近其閾值電壓 Vth 時(shí)，MOS 管工作在弱反型（或亞閾值區(qū)），在結(jié)構(gòu)上類(lèi)似于兩個(gè)背靠背的二極管相連。這樣我們分析時(shí),可將其看成橫向的BJT的結(jié)構(gòu)...
車(chē)載電源 隨著社會(huì)生活水平的提高，我們對(duì)汽車(chē)的要求已經(jīng)從簡(jiǎn)單的代步工具轉(zhuǎn)化...車(chē)載電源 隨著社會(huì)生活水平的提高，我們對(duì)汽車(chē)的要求已經(jīng)從簡(jiǎn)單的代步工具轉(zhuǎn)化為了集娛樂(lè)、生活、辦公等多功能的移動(dòng)場(chǎng)所。如需完成以上生活、工作、娛樂(lè)任務(wù)，筆...
在IC版圖設(shè)計(jì)中除了要體現(xiàn)電路的邏輯或功能確保LVS驗(yàn)證正確外，還要增加一些與...在IC版圖設(shè)計(jì)中除了要體現(xiàn)電路的邏輯或功能確保LVS驗(yàn)證正確外，還要增加一些與LVS（電路匹配）無(wú)關(guān)的圖形，以減小中間過(guò)程中的偏差，我們通常稱(chēng)這些圖形為dummy l...
