KND3404C場效應(yīng)管漏源擊穿電壓40V，漏極電流80A；采用先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù)...KND3404C場效應(yīng)管漏源擊穿電壓40V，漏極電流80A；采用先進(jìn)的高單元密度溝槽技術(shù)，極低的導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 5.0mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗；具有出色的RDSON和柵...
當(dāng)柵-源電壓VGS=O時(shí)，即使加上漏-源電壓VDS，總有一個(gè)PN結(jié)處于反偏狀態(tài)，漏-源...當(dāng)柵-源電壓VGS=O時(shí)，即使加上漏-源電壓VDS，總有一個(gè)PN結(jié)處于反偏狀態(tài)，漏-源極間沒有導(dǎo)電溝道（沒有電流流過），所以這時(shí)漏極電流ID=0。
?電流的磁效應(yīng)?：只需要導(dǎo)線中有電流通過，就會(huì)產(chǎn)生磁場。磁場的方向與電流的...?電流的磁效應(yīng)?：只需要導(dǎo)線中有電流通過，就會(huì)產(chǎn)生磁場。磁場的方向與電流的方向有關(guān)，可以通過安培定則（右手螺旋定則）來判斷。 ?電磁感應(yīng)?：產(chǎn)生電磁感應(yīng)...
鋰電池保護(hù)板專用MOS管KNB3306B漏源擊穿電壓68V，漏極電流80A，低導(dǎo)通電阻RDS(...鋰電池保護(hù)板專用MOS管KNB3306B漏源擊穿電壓68V，漏極電流80A，低導(dǎo)通電阻RDS(on)=7mΩ@VGS=10V，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，最小化開關(guān)損耗；3306場效應(yīng)管開關(guān)速度...
在亞閾值區(qū)，當(dāng)漏端電壓較大時(shí)，靠近柵極的漏端處會(huì)形成一個(gè)小的耗盡區(qū)。在此區(qū)...在亞閾值區(qū)，當(dāng)漏端電壓較大時(shí)，靠近柵極的漏端處會(huì)形成一個(gè)小的耗盡區(qū)。在此區(qū)域內(nèi)，電場作用下會(huì)產(chǎn)生陷阱輔助的載流子，從而引發(fā)柵誘導(dǎo)的漏極泄露電流。當(dāng)電場足...
當(dāng)輸入電源大于MOS管VGS最大電壓，應(yīng)增加D7穩(wěn)壓管防止電源電壓過高擊穿mos管。...當(dāng)輸入電源大于MOS管VGS最大電壓，應(yīng)增加D7穩(wěn)壓管防止電源電壓過高擊穿mos管。當(dāng)電源正確接入時(shí)。電流的流向是從Vin到負(fù)載，在通過NMOS到GND。剛上電時(shí)因?yàn)镹MOS管...
