KNH7650A場(chǎng)效應(yīng)管漏源電壓500V，漏極電流25A，采用高級(jí)平面工藝制造，加固多晶...KNH7650A場(chǎng)效應(yīng)管漏源電壓500V，漏極電流25A，采用高級(jí)平面工藝制造，加固多晶硅柵極結(jié)構(gòu)，能夠提升設(shè)備性能，提高系統(tǒng)效率；低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 170mΩ，低柵極...
先找并聯(lián)、再找串聯(lián)，相互并聯(lián)的兩個(gè)電阻可以去掉其中一個(gè)作為一個(gè)”外掛“并在...先找并聯(lián)、再找串聯(lián)，相互并聯(lián)的兩個(gè)電阻可以去掉其中一個(gè)作為一個(gè)”外掛“并在另一個(gè)旁邊，相互串聯(lián)的兩個(gè)電阻直接看成一個(gè)電阻，如下圖；
熱阻的計(jì)算公式：R = ΔT / P， 其中： R 代表熱阻，單位是℃/W（或者開爾文...熱阻的計(jì)算公式：R = ΔT / P， 其中： R 代表熱阻，單位是℃/W（或者開爾文每瓦特 K/W）。 ΔT 是溫度差，表示物體兩端的溫差，單位是℃。 P 是功率，表示施...
KNH2908D場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V，漏極電流130A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 4.8m...KNH2908D場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓80V，漏極電流130A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 4.8mΩ，最大限度地減少導(dǎo)電損耗；低電流以減少導(dǎo)電損耗、高雪崩電流，性能優(yōu)越，高效穩(wěn)...
反相降壓升壓轉(zhuǎn)換器使用p溝道MOSFET作為開關(guān)，但p溝道MOSFET的一大缺點(diǎn)是其內(nèi)阻...反相降壓升壓轉(zhuǎn)換器使用p溝道MOSFET作為開關(guān)，但p溝道MOSFET的一大缺點(diǎn)是其內(nèi)阻。如果考慮一個(gè)通用的IRF9540 p溝道MOSFET，內(nèi)阻是0.22R或220ms，但如果考慮它的互...
電路中VT1與VT2組成互補(bǔ)多諧振蕩器，它的振蕩頻率約為2kHz。T是升壓變壓器，初...電路中VT1與VT2組成互補(bǔ)多諧振蕩器，它的振蕩頻率約為2kHz。T是升壓變壓器，初級(jí)就是互補(bǔ)多諧振蕩器的負(fù)載，次級(jí)為升壓繞組，輸出一個(gè)較高的脈沖電壓。
