雙mos管電路,負(fù)載開關(guān)電路-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2025-04-25
下文分享的是一款具有反向電流保護(hù)的共漏極負(fù)載開關(guān)，共漏雙NMOS。
在一些應(yīng)用中，需要能夠阻斷兩個方向的電流，例如電池驅(qū)動應(yīng)用，其中應(yīng)防止電池在充電器連接器側(cè)短路等故障情況下放電，或在電氣故障導(dǎo)致連接電纜和交流適配器泄露的情況下放電。
更全面的負(fù)載開關(guān)功能包括反向電壓保護(hù)、反向電流保護(hù)，這些可以用共漏極或共源極配置的MOSFET實現(xiàn)。
阻斷反向電流的常見方法是使用二極管。但是使用MOSFET負(fù)載開關(guān)可以更有效地實現(xiàn)該功能。為了實現(xiàn)兩個電流方向的阻斷，必須將兩個MOSFET以相反的極性串聯(lián)。
如圖，在這種情況下，如果不是兩個FET都打開，那么其中總有一個體二極管可以阻斷對向的電流。這種方法允許創(chuàng)建兩種反向驅(qū)動保護(hù)負(fù)載開關(guān)的替代拓?fù)洌晨勘尺B接漏極或源極，稱為共漏極或共源極。
反向電流保護(hù)共漏雙NMOS負(fù)載開關(guān)
圖為共漏極雙NMOS高邊負(fù)載開關(guān)，與單NMOS高邊負(fù)載開關(guān)一樣，需要有高于Vin的HV_Ctrl驅(qū)動。
反向電流保護(hù)共漏雙PMOS負(fù)載開關(guān)
圖為共漏極雙PMOS高邊負(fù)載開關(guān)，與單PMOS高邊負(fù)載開關(guān)一樣，Ctrl端需要可以達(dá)到接近等于或高于Vin的電平，若不能直接施加，則需要增加一個三極管或者M(jìn)OS管驅(qū)動G極。
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