AD30P30D3替代,-30v-100a,電機驅(qū)動pmos,KPY3203D參數(shù)-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2024-12-23
KPY3203D場效應管漏源擊穿電壓-30V，漏極電流-100A，采用先進的高細胞密度溝槽技術(shù)，極低的導通電阻RDS(on)=3.5mΩ，超低柵極電荷，最大限度地減少導電損耗，最小化開關(guān)損耗；100%EAS保證、CdV/dt效應顯著下降，高效穩(wěn)定，綠色設(shè)備可用，符合環(huán)保要求，專用于電機控制和驅(qū)動、電動工具中；封裝形式：DFN5x6，散熱良好。
漏源電壓：-30V
漏極電流：-100A
柵源電壓：±20V
閾值電壓：-1.7V
脈沖漏電流：-400A
單脈沖雪崩能量：312MJ
功率耗散：62.5W
總柵極電荷：130nC
輸入電容：7500PF
輸出電容：1000PF
反向傳輸電容：900PF
開通延遲時間：22nS
關(guān)斷延遲時間：110nS
上升時間：30ns
下降時間：40ns
聯(lián)系方式：鄒先生
座機：0755-83888366-8022
手機：18123972950（微信同號）
QQ：2880195519
聯(lián)系地址：深圳市龍華區(qū)英泰科匯廣場2棟1902
搜索微信公眾號:“KIA半導體”或掃碼關(guān)注官方微信公眾號
關(guān)注官方微信公眾號：提供 MOS管 技術(shù)支持
免責聲明：網(wǎng)站部分圖文來源其它出處，如有侵權(quán)請聯(lián)系刪除。
