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MOS管的溝道長(zhǎng)度,溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)-KIA MOS管

信息來源:本站 日期:2024-06-12 

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MOS管的溝道長(zhǎng)度,溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)-KIA MOS管


MOS管的溝道長(zhǎng)度

MOS管的溝道長(zhǎng)度是影響其性能和集成度的重要因素。mos管溝道的長(zhǎng)度在一定程度上決定了芯片的頻率和芯片的集成度。


從芯片集成度上看mos管溝道長(zhǎng)度的意義

mos管的體積可以說是決定了IC芯片的集成度,顯然溝道的長(zhǎng)度就是影響mos管體積的重要因素,現(xiàn)在集成電路的功能越發(fā)復(fù)雜,這就要求在芯片上能夠集成更多的電路,這使得芯片的溝道越來越小,例如所謂的7ns芯片,在這里7ns就是說的溝道長(zhǎng)度。


芯片工藝中的光刻,光刻機(jī)的精度決定了能做到的溝道長(zhǎng)度,這個(gè)技術(shù)是很難突破的,并且最重要的是這種重要的技術(shù)存在技術(shù)封鎖,這是當(dāng)下國家半導(dǎo)體行業(yè)的困局。

MOS管,溝道長(zhǎng)度

從芯片的頻率上來看mos管溝道長(zhǎng)度的意義

芯片的頻率就是芯片性能最重要的指標(biāo)之一,頻率越快就意味著芯片的計(jì)算,存儲(chǔ)越快。明顯頻率不是想設(shè)多快就設(shè)多快,它是受各種硬件的性能決定的,mos管溝道的長(zhǎng)度就是其一。


從FET為例說,理論上GS電壓高于一定的值,就可以了。這個(gè)很容易做到,但是,在MOS管的結(jié)構(gòu)中可以看到,在GS,GD之間存在寄生電容,而MOS管的驅(qū)動(dòng),實(shí)際上就是對(duì)電容的充放電。顯然電容的充放電是需要時(shí)間的,這個(gè)時(shí)間就限制了頻率的大小,同時(shí)這個(gè)時(shí)間跟mos管的尺寸有關(guān)。溝道越小、尺寸越小,頻率就可以越快。


溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)

溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)是指MOS晶體管中,柵下溝道預(yù)夾斷后、若繼續(xù)增大Vds,夾斷點(diǎn)會(huì)略向源極方向移動(dòng)。導(dǎo)致夾斷點(diǎn)到源極之間的溝道長(zhǎng)度略有減小,有效溝道電阻也就略有減小,從而使更多電子自源極漂移到夾斷點(diǎn),導(dǎo)致在耗盡區(qū)漂移電子增多,使Id增大的效應(yīng)。

MOS管,溝道長(zhǎng)度

以在加?xùn)艍篤gs且形成導(dǎo)電溝道的情況下的NMOSFET為例。若漏源電壓Vds增大至不可忽略,溝道電壓降增大直至Vgd=VT時(shí),由于柵漏之間電壓差降低,漏端附近反型層消失,稱為溝道夾斷。若繼續(xù)增大Vds,夾斷點(diǎn)將向源端移動(dòng),故"看起來",有效溝道長(zhǎng)度減小,稱為溝道調(diào)制效應(yīng)。


對(duì)于長(zhǎng)溝器件而言,溝道變化長(zhǎng)度△L遠(yuǎn)小于原溝道長(zhǎng)度,即△L可忽略,但在集成電路特征尺寸逐漸縮小的今天,溝道調(diào)制效應(yīng)帶來的影響愈加不可忽視。


溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)是MOS晶體管中一個(gè)重要的物理現(xiàn)象,它發(fā)生在晶體管工作在飽和區(qū)時(shí)。當(dāng)漏源電壓(Vds)增大,導(dǎo)致實(shí)際的反型層溝道長(zhǎng)度逐漸減小,這一現(xiàn)象被稱為溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)。


具體來說,當(dāng)MOS晶體管中的柵下溝道預(yù)夾斷后,若繼續(xù)增大Vds,夾斷點(diǎn)會(huì)略向源極方向移動(dòng),導(dǎo)致夾斷點(diǎn)到源極之間的溝道長(zhǎng)度略有減小,有效溝道電阻也就略有減小。這一變化使得更多電子自源極漂移到夾斷點(diǎn),導(dǎo)致在耗盡區(qū)漂移電子增多,從而使漏極電流(Id)增大。這種效應(yīng)是MOS結(jié)構(gòu)的一個(gè)二級(jí)效應(yīng),對(duì)MOS晶體管的工作特性和性能有著重要影響。


溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)的影響在于,當(dāng)漏源電壓增加時(shí),速度飽和點(diǎn)在從漏端向源端移動(dòng),使得漏源電流隨漏源電壓增加而增加。在飽和區(qū),D和S之間電流源非理想,這是因?yàn)闇系篱L(zhǎng)度是漏源電壓的函數(shù),導(dǎo)致漏極電流增加。這種效應(yīng)在短溝道器件中尤為明顯,因?yàn)槎虦系榔骷膱?chǎng)強(qiáng)較大,速度飽和效應(yīng)可能先于溝道夾斷導(dǎo)致電流飽和。


此外,溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)還可以被用作放大器的有源負(fù)載,因?yàn)樗芴峁╇娏鞑⒛芴峁┐蟮妮敵鲎杩?,?shí)現(xiàn)較大增益。在仿真中,通過調(diào)整溝道長(zhǎng)度和寬度參數(shù),可以觀察到溝道長(zhǎng)度越短,輸出電阻越小,做放大器的有源負(fù)載增益也會(huì)越小。這表明溝道長(zhǎng)度調(diào)制效應(yīng)不僅是一個(gè)物理現(xiàn)象,而且在實(shí)際應(yīng)用中有著重要的工程意義。


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