18n50場效應管參數(shù)代換 18n50規(guī)格書 引腳-KIA MOS管
信息來源：本站 日期：2023-08-08
開關電源產(chǎn)品廣泛應用于工業(yè)自動化控制、軍工設備、科研設備、LED照明、工程設備、通訊設備等等；一款優(yōu)質(zhì)的場效應管應用在開關電源中能夠提升效率，減低成本。
KIA半導體這款18N50H是N溝道增強型硅柵功率MOSFET是為高功率器件設計，廣泛應用于開關電源、DC-AC電源轉(zhuǎn)換器，DC-DC電源轉(zhuǎn)換器，紫外線燈電子鎮(zhèn)流器等產(chǎn)品中。在使用方面能夠匹配型號為FQP16N50的國外場效應管，完美代換FQP18N50型號的場效應管。
RDS(on)=0.25Ω@VGS=10V
低柵電荷
快速切換能力
提高了dv/dt能力
工作方式：18A/500V
漏源電壓：500V
柵源電壓:±30V
脈沖漏電流:72A
峰值二極管恢復dv/dt:4.5V/ns
輸入電容：2500pF
輸出電容：400pF
連續(xù)漏源電流：18A
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KIA半導體的產(chǎn)品涵蓋工業(yè)、新能源、交通運輸、綠色照明四大領域，不僅包括光伏逆變及無人機、充電樁、這類新興能源，也涉及汽車配件、LED照明等家庭用品。KIA半導體提供免費試樣外，更可根據(jù)客戶需求進行量身定制MOS管產(chǎn)品！
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