SBD具有較低的正向?qū)妷?，一般?.3V左右；而PN結(jié)硅二極管正向?qū)妷簽?....SBD具有較低的正向?qū)妷?，一般?.3V左右；而PN結(jié)硅二極管正向?qū)妷簽?.7V左右。肖特基二極管的正向?qū)妷和ǔ５陀赑N結(jié)二極管，這意味著在正向?qū)〞r，肖...
KIA2806AM場效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流150A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 3.5...KIA2806AM場效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流150A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 3.5mΩ，最大限度地減少導(dǎo)通損耗，提高效率；100%雪崩測試，穩(wěn)定可靠；提供無鉛和綠色設(shè)...
在PFC開關(guān)電源當(dāng)中，開關(guān)穩(wěn)壓電源是非常重要的一個組成部分。PFC當(dāng)中的開關(guān)穩(wěn)壓...在PFC開關(guān)電源當(dāng)中，開關(guān)穩(wěn)壓電源是非常重要的一個組成部分。PFC當(dāng)中的開關(guān)穩(wěn)壓電源功能和普通的開關(guān)穩(wěn)壓電源的區(qū)別并不巨大，只是在供電上有所區(qū)別。普通的開關(guān)穩(wěn)...
勢壘電容：功率半導(dǎo)體中，當(dāng)N型和P型半導(dǎo)體結(jié)合后，由于濃度差導(dǎo)致N型半導(dǎo)體的...勢壘電容：功率半導(dǎo)體中，當(dāng)N型和P型半導(dǎo)體結(jié)合后，由于濃度差導(dǎo)致N型半導(dǎo)體的電子會有部分?jǐn)U散到P型半導(dǎo)體的空穴中，因此在結(jié)合面處的兩側(cè)會形成空間電荷區(qū)（該空...
hid安定器MOS管?KIA3510AB漏源擊穿電壓100V，漏極電流75A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開...hid安定器MOS管?KIA3510AB漏源擊穿電壓100V，漏極電流75A，極低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 9mΩ，最大限度地減少導(dǎo)通損耗，?低柵極電荷有助于降低開關(guān)損耗，性能優(yōu)越；1...
