在CMOS晶片中，由于寄生的NPN和PNP三極管相互導(dǎo)通，使得在電源VDD和地VSS之間產(chǎn)...在CMOS晶片中，由于寄生的NPN和PNP三極管相互導(dǎo)通，使得在電源VDD和地VSS之間產(chǎn)生低阻抗通路，從而引發(fā)大電流通過(guò)，對(duì)芯片造成永久性損壞的風(fēng)險(xiǎn)。這種效應(yīng)通常是由...
kia2906ah場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流130A，極低導(dǎo)通電阻RDS(on)=5.5mΩ...kia2906ah場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓60V，漏極電流130A，極低導(dǎo)通電阻RDS(on)=5.5mΩ，低柵極電荷能夠最大限度地減少導(dǎo)電損耗，最小化開(kāi)關(guān)損耗以及高雪崩耐量，高效穩(wěn)定...
線圈可以儲(chǔ)存能量的(線圈會(huì)阻止電流的突變，也就是電磁感應(yīng)作用，即電流只能慢...線圈可以儲(chǔ)存能量的(線圈會(huì)阻止電流的突變，也就是電磁感應(yīng)作用，即電流只能慢慢增大和減少)，如果一下使線圈斷電，兩端就會(huì)產(chǎn)生很大的電壓，這樣就可能使線圈損壞...
在柵極和源極之間施加一個(gè)電壓源VGG，這個(gè)電壓使得柵極帶正電荷，而P型襯底帶負(fù)...在柵極和源極之間施加一個(gè)電壓源VGG，這個(gè)電壓使得柵極帶正電荷，而P型襯底帶負(fù)電荷，從而在柵極和P型襯底之間形成電場(chǎng)。這個(gè)電場(chǎng)會(huì)排斥P型區(qū)中的多數(shù)載流子（空穴...
KIA2803AB場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流150A，采用先進(jìn)的溝槽工藝設(shè)計(jì)，極...KIA2803AB場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流150A，采用先進(jìn)的溝槽工藝設(shè)計(jì)，極低導(dǎo)通電阻RDS(on)=2.2mΩ，低柵極電荷，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，最小化開(kāi)關(guān)損耗；...
