首先來看看MOS應力公式：（理想化處理，不影響結論） Vds=Vin+n*Vo+Vspike =...首先來看看MOS應力公式：（理想化處理，不影響結論） Vds=Vin+n*Vo+Vspike =Vin+n*Vo+Ipk*（Lk/C1）0.5 這里兩個主要參數(shù)的意義： 1、Lk是變壓器漏感（實際還...
SJ MOSFET的技術主要有兩種，其一為由英飛凌（Infineon）開發(fā)的多磊晶技術，藉...SJ MOSFET的技術主要有兩種，其一為由英飛凌（Infineon）開發(fā)的多磊晶技術，藉由摻雜（doping）磊晶在磊晶層上形成島狀的摻雜區(qū)域，使該區(qū)域擴散形成一個氮摻雜（...
很多讀者第一次接觸到這兩個名詞的時候，可能會顧名思義地認為，平面型IGBT的電...很多讀者第一次接觸到這兩個名詞的時候，可能會顧名思義地認為，平面型IGBT的電流就是水平流動的，而溝槽柵IGBT的電流就是在垂直方向上流動的。其實這是一個誤解，...
測量開關電源輸出紋波和功率MOSFET的VDS、VGS電壓的時候，通常要去除示波器探頭...測量開關電源輸出紋波和功率MOSFET的VDS、VGS電壓的時候，通常要去除示波器探頭的帽子，直接將探頭的信號尖端和地線接觸被測量位置的兩端，減小地線的環(huán)路，從而減...
當只有3V電源時，VOUT采用3V供電；當5V電源有效時，切換至5V供電。當只有3V電源時，VOUT采用3V供電；當5V電源有效時，切換至5V供電。
