晶體管與MOS管并聯(lián)理論： (1)、晶體管具有負的溫度系數(shù)，即當溫度升高時，導通...晶體管與MOS管并聯(lián)理論： (1)、晶體管具有負的溫度系數(shù)，即當溫度升高時，導通電阻會變小。 (2)、MOS管具有正的溫度系數(shù)，即當溫度升高時，導通電阻會逐漸變大。...
多級CMOS版圖中，必有漏極（前級輸出）和柵極（后級輸入）相連，所以要先找到兩...多級CMOS版圖中，必有漏極（前級輸出）和柵極（后級輸入）相連，所以要先找到兩級間相連的部分。然后從已知的柵極開始，逐級分析。每一級的PUN和PDN一般靠的較近，...
繪制NMOS管的步驟與PMOS管基本相同(新建一個名為NMOS的Ccll)。不同的是NMOS是做...繪制NMOS管的步驟與PMOS管基本相同(新建一個名為NMOS的Ccll)。不同的是NMOS是做在P型襯底上,要有一個N型注入層,這一層要覆蓋整個有源區(qū)。
P-SUB工藝，NMOS 的襯底都是一樣的，都是P-SUB，所以不可以將源極和襯底接一塊...P-SUB工藝，NMOS 的襯底都是一樣的，都是P-SUB，所以不可以將源極和襯底接一塊，不然通過襯底短接會影響其他NMOS的特性，因此NMOS的襯底只能接GND（低電位）；
RDS(on) =3.5mΩ（typ.）@ VGS =10V 100%雪崩測試 可靠、堅固耐用 無鉛和綠...RDS(on) =3.5mΩ（typ.）@ VGS =10V 100%雪崩測試 可靠、堅固耐用 無鉛和綠色設備可用（符合RoHS標準）
