KNX3320A參數(shù) MOS管200V90A特性 專用的新平面技術(shù) RDS(ON),typ.=20mΩ@VGS=1...KNX3320A參數(shù) MOS管200V90A特性 專用的新平面技術(shù) RDS(ON),typ.=20mΩ@VGS=10V 低柵電荷使開關(guān)損耗最小化
MOSFET可降低超級(jí)電容器的工作偏置電壓，平衡電路的功耗，并可以根據(jù)溫度、時(shí)間...MOSFET可降低超級(jí)電容器的工作偏置電壓，平衡電路的功耗，并可以根據(jù)溫度、時(shí)間和環(huán)境變化而自動(dòng)調(diào)節(jié)。 在能量采集、辦公自動(dòng)化和備份系統(tǒng)等一系列新產(chǎn)品設(shè)計(jì)中，...
當(dāng)SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時(shí)，首先ID會(huì)變化（下述波形示意圖T1）。此時(shí)LS的ID沿增加...當(dāng)SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時(shí)，首先ID會(huì)變化（下述波形示意圖T1）。此時(shí)LS的ID沿增加方向、HS的ID沿減少方向流動(dòng)，受下述等效電路圖中所示的事件(I)影響，在圖中所示的...
LS（低邊）側(cè)SiC MOSFET Turn-on和Turn-off時(shí)的VDS和ID的變化方式不同。在探討...LS（低邊）側(cè)SiC MOSFET Turn-on和Turn-off時(shí)的VDS和ID的變化方式不同。在探討SiC MOSFET的這種變化對(duì)Gate-Source電壓（VGS）帶來的影響時(shí),需要在包括SiC MOSFET的...
在交流電路中，由電源供給負(fù)載的電功率有兩種：一種是有功功率，一種是無功功率...在交流電路中，由電源供給負(fù)載的電功率有兩種：一種是有功功率，一種是無功功率。電壓電流同相位，電源向負(fù)載供電，負(fù)載把電能轉(zhuǎn)換成其他能量，叫有功。電壓電流不...
