KNS5610A場(chǎng)效應(yīng)管漏極電流7A，漏源擊穿電壓100V，采用高單元密度的先進(jìn)溝槽技術(shù)...KNS5610A場(chǎng)效應(yīng)管漏極電流7A，漏源擊穿電壓100V，采用高單元密度的先進(jìn)溝槽技術(shù)，具有優(yōu)異的導(dǎo)通特性，RDS（ON）=98mΩ，低柵極電荷，減小開(kāi)關(guān)損耗；出色的Cdv/dt...
6P3P單端電子管功放電路，使用6N1進(jìn)行電壓放大推動(dòng)末級(jí)6P3P。為得到較大的輸出...6P3P單端電子管功放電路，使用6N1進(jìn)行電壓放大推動(dòng)末級(jí)6P3P。為得到較大的輸出功率，使用了標(biāo)準(zhǔn)的五極管接法。RP為音量電位器，因?yàn)槿サ袅瞬⒙?lián)6N1柵極上的柵漏電阻...
BG2與BG3組成多諧振蕩器推動(dòng)整個(gè)電路的運(yùn)行，然后通過(guò)BG1和BG4來(lái)控制BG6和BG7工...BG2與BG3組成多諧振蕩器推動(dòng)整個(gè)電路的運(yùn)行，然后通過(guò)BG1和BG4來(lái)控制BG6和BG7工作。振蕩電路由BG5和DW組的穩(wěn)壓電源供電，使得多諧振蕩器輸出的頻率穩(wěn)定。在制作時(shí)...
KND3403B場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流85A，使用KIA的LVMosfet技術(shù)生產(chǎn)，...KND3403B場(chǎng)效應(yīng)管漏源擊穿電壓30V，漏極電流85A，使用KIA的LVMosfet技術(shù)生產(chǎn)，經(jīng)過(guò)改進(jìn)的工藝和單元結(jié)構(gòu)特別定制，性能出色；低導(dǎo)通電阻RDS(on)=4.5mΩ，最大限度...
集成電路一般是指芯片的集成，像主板上的北橋芯片、CPU內(nèi)部都是被歸于集成電路...集成電路一般是指芯片的集成，像主板上的北橋芯片、CPU內(nèi)部都是被歸于集成電路，而PCB指得是我們經(jīng)?？匆?jiàn)的綠色電路板，還有在電路板上的印刷焊接芯片。 對(duì)于這兩...
