許多MOS管在管殼表面上有標(biāo)記或標(biāo)識，標(biāo)明了各個電極的名稱； 在電路圖中，MO...許多MOS管在管殼表面上有標(biāo)記或標(biāo)識，標(biāo)明了各個電極的名稱； 在電路圖中，MOS管的電極通常會用特定的符號表示，G極通常用一個圓圈表示，S極用一個小圓圈表示，D...
KIA6035AD場效應(yīng)管漏源擊穿電壓350V，漏極電流11A；采用先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)...KIA6035AD場效應(yīng)管漏源擊穿電壓350V，漏極電流11A；采用先進(jìn)的平面條紋DMOS技術(shù)，最大限度地減少導(dǎo)通電阻，導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 0.38Ω，降低功耗、提升效率；在雪崩...
場效應(yīng)管是一種電壓控制型器件，通過柵源電壓（VGS）來控制漏極電流（ID），具...場效應(yīng)管是一種電壓控制型器件，通過柵源電壓（VGS）來控制漏極電流（ID），具有高輸入阻抗、低輸出阻抗、快速開關(guān)速度和大電壓/電流能力等特點(diǎn)。
低通濾波電路可使低頻信號較少損失地傳輸?shù)捷敵龆耍垢哳l信號得到有效抑制。低...低通濾波電路可使低頻信號較少損失地傳輸?shù)捷敵龆?，使高頻信號得到有效抑制。低通濾波(Low-pass filter) 是一種過濾方式，規(guī)則為低頻信號能正常通過，而超過設(shè)定臨...
KIA5N50SY場效應(yīng)管漏源擊穿電壓高達(dá)500V，漏極電流5A，低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 1....KIA5N50SY場效應(yīng)管漏源擊穿電壓高達(dá)500V，漏極電流5A，低導(dǎo)通電阻RDS(開啟) 1.35Ω，最大限度地減少導(dǎo)電損耗，高效低耗?；堅(jiān)固的高壓端接、指定雪崩能量、源極到...
